IGBT модуль MIAA-HB12SM-300N

Описание IGBT модуля MIAA-HB12SM-300N (Протон Электротекс)

IGBT модуль MIAA-HB12SM-300N производства Протон Электротекс — это современный силовой полупроводниковый компонент, разработанный для применения в системах преобразования и управления электроэнергией. Устройство выполнено в конфигурации Half-Bridge (HB), что обеспечивает эффективную работу в инверторах, частотных преобразователях и приводных системах.

Модуль рассчитан на номинальный ток 300 А и максимальное напряжение 1200 В, благодаря чему подходит для широкого спектра промышленного оборудования. Использование технологии IGBT Trench Field Stop (FS) позволяет существенно снизить коммутационные потери, повысить КПД и обеспечить стабильную работу при высоких динамических нагрузках.

Конструкция модуля включает DBC-подложку (Al₂O₃) и медное основание, что гарантирует эффективный теплоотвод и равномерное распределение тепловых нагрузок. Это особенно важно при длительной работе в режимах высокой мощности. Устройство рассчитано на эксплуатацию в диапазоне температур –40…+125 °C, при этом максимальная температура кристалла достигает 150 °C, что соответствует требованиям современной промышленной электроники.

Высокая диэлектрическая прочность до 4000 В AC обеспечивает надежную изоляцию и безопасность эксплуатации, а поддержка частоты коммутации до 10 кГц делает модуль универсальным решением для высокоэффективных систем управления энергией.

Области применения

• Промышленные преобразователи частоты
• Системы электропривода и автоматизации
• Инверторы солнечных и ветровых электростанций
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Системы накопления и распределения энергии
• Зарядные станции для электромобилей
• Тяговое оборудование и железнодорожные системы

Технические характеристики

• Производитель: Протон Электротекс
• Модель: MIAA-HB12SM-300N
• Тип: IGBT модуль
• Конфигурация: Half-Bridge (HB)
• Номинальный ток (ICnom): 300 А
• Максимальное напряжение (VCES): 1200 В
• Технология: Trench Field Stop (FS)
• Подложка: DBC (Al₂O₃)
• Основание: медное (baseplate)
• Температура кристалла: до 150 °C
• Рабочий температурный диапазон: –40…+125 °C
• Частота коммутации: до 10 кГц
• Диэлектрическая прочность: до 4000 В AC

Закажите IGBT модуль MIAA-HB12SM-300N Протон Электротекс прямо сейчас — получите надежный компонент для силовой электроники, выгодную цену и быструю доставку.

Посмотрите также другие товары в наличии — возможно, найдёте именно то, что нужно:
👉 Открыть каталог доступных товаров