IGBT модуль MID2-HB12LA-300N

Описание IGBT модуля MID2-HB12LA-300N (Протон Электротекс)

IGBT модуль MID2-HB12LA-300N производства Протон Электротекс — это силовой полупроводниковый компонент, предназначенный для применения в системах преобразования электроэнергии и промышленной автоматизации. Модуль выполнен в конфигурации Half-Bridge (HB), что обеспечивает эффективную работу в инверторных схемах, электроприводах и преобразователях частоты.

Согласно маркировке и типовой структуре серии, устройство рассчитано на номинальное напряжение 1200 В и средний ток 300 А, что делает его универсальным решением для оборудования средней и высокой мощности. Конструкция модуля включает встроенные IGBT-транзисторы и обратные диоды (FRD), обеспечивающие стабильную работу при коммутации и защиту от обратных токов.

Модуль выполнен в промышленном корпусе с использованием DBC-подложки (Al₂O₃) и медного основания, что гарантирует эффективный теплоотвод и устойчивость к термоциклам. Благодаря этому достигается высокая надежность и длительный срок службы даже при интенсивной эксплуатации.

Рабочий температурный диапазон составляет –40…+150 °C (температура перехода), что позволяет использовать модуль в сложных климатических и производственных условиях. Высокая изоляционная прочность (типично до 4000 В AC для данного класса модулей) обеспечивает безопасную работу в силовых цепях.

Модуль соответствует требованиям промышленной эксплуатации и может применяться в современных системах управления энергией, где важны надежность, стабильность и энергоэффективность.

Области применения

• Промышленные преобразователи частоты
• Электроприводы переменного тока
• Инверторы для солнечной и ветровой энергетики
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Системы накопления и распределения энергии
• Системы кондиционирования и HVAC
• Автоматизированные производственные линии

Технические характеристики

• Производитель: Протон Электротекс
• Модель: MID2-HB12LA-300N
• Тип устройства: IGBT модуль
• Конфигурация: Half-Bridge (HB)
• Номинальное напряжение (VCES): 1200 В
• Номинальный ток (IC): 300 А
• Тип чипа: IGBT + FRD
• Подложка: DBC (Al₂O₃)
• Основание: медное (baseplate)
• Рабочая температура перехода: –40…+150 °C
• Конструкция: промышленное исполнение, повышенная стойкость к термоциклам

Закажите IGBT модуль MID2-HB12LA-300N Протон Электротекс прямо сейчас — получите надежное решение для силовой электроники, профессиональную консультацию и быструю поставку.

Посмотрите также другие товары в наличии — возможно, найдёте именно то, что нужно:
👉 Открыть каталог доступных товаров