IGBT модуль MIAA-HС17FA-200

Описание IGBT модуля MIAA-HC17FA-200

IGBT модуль MIAA-HC17FA-200 — это высоконадежный силовой полупроводниковый компонент, предназначенный для применения в промышленных и энергетических системах. Он выполнен в конфигурации Half-Bridge (FA) с высокой коммутационной эффективностью, обеспечивая низкие потери при переключении и стабильную работу при больших нагрузках. Конструкция модуля позволяет сочетать компактные размеры и высокую мощность, что делает его идеальным для современных преобразователей энергии.

Модуль рассчитан на номинальный ток 200 А и способен работать при максимальном напряжении до 1200 В, что обеспечивает универсальность применения в промышленных электроприводах, системах инверторов и источниках бесперебойного питания. Используемая технология IGBT Trench Field Stop (FS) минимизирует тепловые потери и повышает эффективность работы устройства.

Для надежного отвода тепла применяется DBC-подложка на основе Al₂O₃ с медным основанием, что обеспечивает стабильность работы и долгий срок службы. Рабочий диапазон температур модуля составляет –40 °C…+125 °C, при этом температура кристалла достигает 150 °C, что позволяет использовать его в суровых климатических и промышленных условиях.

Высокая диэлектрическая прочность до 4000 В AC и возможность работы на частоте коммутации до 10 кГц делают модуль MIAA-HC17FA-200 универсальным и надежным решением для различных промышленных и энергетических задач.

Области применения

• Промышленные преобразователи частоты и электроприводы

• Инверторы для солнечных и ветровых электростанций

• Источники бесперебойного питания (UPS)

• Зарядные станции для аккумуляторов и электромобилей

• Энергетические преобразователи и системы хранения энергии

• Тяговое оборудование и железнодорожные системы

• Автоматизированные линии и роботизированные комплексы

Технические характеристики

• Конфигурация: Half-Bridge (FA)

• Номинальный ток (ICnom): 200 А

• Максимальное напряжение (VCES): 1200 В

• Технология: IGBT Trench Field Stop

• Подложка: DBC (Al₂O₃)

• Основание: медное (baseplate)

• Рабочая температура кристалла: до 150 °C

• Диапазон рабочих температур: –40…+125 °C

• Частота коммутации: до 10 кГц

• Диэлектрическая прочность: до 4000 В AC

• Высокая надежность и минимальные коммутационные потери

Закажите IGBT модуль MIAA-HC17FA-200 в нашем каталоге — мы предлагаем выгодные цены, гарантию качества и доставку по всей России.

Посмотрите также другие товары в наличии — возможно, найдёте именно то, что нужно:
👉 Открыть каталог доступных товаров