IGBT модуль MIAA-HB12MA-200N

Описание IGBT модуля MIAA-HB12MA-200N

IGBT модуль MIAA-HB12MA-200N — это надежный и высокоэффективный силовой полупроводниковый компонент, разработанный для эксплуатации в промышленных и энергетических системах с повышенными требованиями к стабильности и долговечности. Модуль выполнен в конфигурации Half-Bridge (MA) и оснащен технологией IGBT Trench Field Stop (FS), что обеспечивает минимальные коммутационные потери, высокую энергоэффективность и стабильную работу при длительных нагрузках.

Модуль рассчитан на номинальный ток 200 А и способен работать при максимальном напряжении до 1200 В, что делает его оптимальным решением для промышленных преобразователей частоты, инверторов, источников бесперебойного питания и систем управления электроприводами. Для эффективного отвода тепла используется DBC-подложка на основе Al₂O₃ с медным основанием (baseplate), что обеспечивает надежность работы устройства и длительный срок службы даже при интенсивной эксплуатации.

Диапазон рабочих температур модуля составляет –40 °C…+125 °C, а допустимая температура кристалла достигает 150 °C, что позволяет применять его в суровых климатических и производственных условиях. Высокая диэлектрическая прочность до 4000 В AC и возможность работы на частоте коммутации до 10 кГц делают модуль MIAA-HB12MA-200N универсальным и долговечным компонентом для современных промышленных систем и энергетических установок.

Области применения

• Промышленные преобразователи частоты и электроприводы

• Инверторы для солнечных и ветровых электростанций

• Источники бесперебойного питания (UPS)

• Зарядные станции для аккумуляторов и электромобилей

• Энергетические преобразователи и системы хранения энергии

• Тяговое оборудование и железнодорожные системы

• Автоматизированные линии и роботизированные комплексы

Технические характеристики

• Конфигурация: Half-Bridge (MA)

• Номинальный ток (ICnom): 200 А

• Максимальное напряжение (VCES): 1200 В

• Технология: IGBT Trench Field Stop

• Подложка: DBC (Al₂O₃)

• Основание: медное (baseplate)

• Рабочая температура кристалла: до 150 °C

• Диапазон рабочих температур: –40…+125 °C

• Частота коммутации: до 10 кГц

• Диэлектрическая прочность: до 4000 В AC

• Высокая надежность и минимальные коммутационные потери

Закажите IGBT модуль MIAA-HB12MA-200N в нашем каталоге — выгодные цены, гарантия качества и доставка по всей России.

Посмотрите также другие товары в наличии — возможно, найдёте именно то, что нужно:
👉 Открыть каталог доступных товаров