IGBT модуль MIAA-HC12ME-600N

Описание IGBT модуля MIAA-HC12ME-600N

IGBT модуль MIAA-HC12ME-600N — это высокопроизводительный силовой полупроводниковый компонент, разработанный для применения в промышленных и энергетических системах с высокими требованиями к надежности и эффективности. Модуль выполнен в конфигурации Half-Bridge (ME) и использует технологию IGBT Trench Field Stop (FS), обеспечивая минимальные коммутационные потери, высокую энергоэффективность и стабильную работу при интенсивных нагрузках.

Модуль рассчитан на номинальный ток 600 А и способен работать при максимальном напряжении до 1200 В, что делает его универсальным решением для мощных промышленных преобразователей, инверторов и источников бесперебойного питания. Для эффективного отвода тепла применяется DBC-подложка на основе Al₂O₃ в сочетании с медным основанием (baseplate), что обеспечивает стабильную работу и длительный срок службы даже при высоких нагрузках.

Рабочий диапазон температур модуля составляет –40 °C…+125 °C, при этом допустимая температура кристалла достигает 150 °C, что позволяет использовать его в сложных климатических и производственных условиях. Высокая диэлектрическая прочность до 4000 В AC и возможность работы на частоте коммутации до 10 кГц делают модуль MIAA-HC12ME-600N надежным и универсальным компонентом для промышленных и энергетических систем.

Области применения

• Промышленные преобразователи частоты и электроприводы

• Инверторы для солнечных и ветровых электростанций

• Источники бесперебойного питания (UPS)

• Зарядные станции для аккумуляторов и электромобилей

• Энергетические преобразователи и системы хранения энергии

• Железнодорожное и тяговое оборудование

• Автоматизированные линии и роботизированные комплексы

Технические характеристики

• Конфигурация: Half-Bridge (ME)

• Номинальный ток (ICnom): 600 А

• Максимальное напряжение (VCES): 1200 В

• Технология: IGBT Trench Field Stop

• Подложка: DBC (Al₂O₃)

• Основание: медное (baseplate)

• Рабочая температура кристалла: до 150 °C

• Диапазон рабочих температур: –40…+125 °C

• Частота коммутации: до 10 кГц

• Диэлектрическая прочность: до 4000 В AC

• Минимальные потери при переключении и высокая надежность

Закажите IGBT модуль MIAA-HC12ME-600N в нашем каталоге — мы предлагаем выгодные цены, гарантию качества и быструю доставку по всей России.

Посмотрите также другие товары в наличии — возможно, найдёте именно то, что нужно:
👉 Открыть каталог доступных товаров